商品描述

【產品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)

【爐管尺寸】φ40--φ100mm

【加熱區(qū)】300mm/440mm 

【額定溫度】1200℃

【控溫精度】±1℃ 

【應用領域】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)（等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成，   本設備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術，最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。

性能特點：
CVD管式爐系統(tǒng)由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源

管式爐可選擇不同的管徑和恒溫區(qū)的長度，爐管兩端裝有高真空不銹鋼密封法蘭；

真空獲得系統(tǒng)可根據(jù)試驗要求選擇不同的真空泵，旋片式機械真空泵真空度≤5pa，分子泵真空機組真空度1×10^-4pa；

氣路供氣系統(tǒng)可選擇3路浮子手動和3路自動質量流量系統(tǒng)

真空測量為數(shù)字復合真空機或皮拉尼真空計

等離子體放電選擇13.56Mhz的設備電源，功率輸出可選擇200W、300W和500W

管式爐可選擇單溫區(qū)300mm和440mm，也可選擇三溫區(qū)或多溫區(qū)進行溫度的梯度試驗

溫控器內置的RS485數(shù)字通信端口和USB適配器作為可選配置，可連接PC，用于系統(tǒng)的遠程控制和監(jiān)視，還可以保存或導出測試結果。

產品符合歐盟CE標準。